三维半导体封装及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010090875.0
IPC分类号：H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/40
申请日期：
2020-02-13
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	三维半导体封装及其制造方法
申请号	CN202010090875.0	申请日期	2020-02-13
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-20	公开/公告号	CN112687551A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;2;3;/;4;0查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	余振华;郭立中;卢思维;施应庆
代理机构	北京派特恩知识产权代理有限公司	代理人	薛恒;王琳

摘要

本文阐述三维半导体封装及其制造方法。所述方法包括：在中介层上安装管芯堆叠，在管芯堆叠之上分配热界面材料层且将热散布元件放置在管芯堆叠之上并通过热界面材料层将热散布元件附接到管芯堆叠。热界面材料层在管芯堆叠及中介层与热散布元件之间提供可靠的粘着层及高效的导热路径。因此，防止热界面材料层从热散布元件分层，提供从管芯堆叠到热散布元件的高效热传递，且通过中介层与热散布元件之间的热界面材料层减小沿着热路径的热阻。因此，热界面材料层降低整体运行温度并增加三维半导体封装的整体可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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