改进的点矩阵二极管结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200420096264.3
IPC分类号：--
申请日期：
2004-10-08
申请人：
陈天宇

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	改进的点矩阵二极管结构
申请号	CN200420096264.3	申请日期	2004-10-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	陈天宇	申请人地址	台湾省台北县新庄市福营路71号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陈天宇	当前权利人	陈天宇
发明人	陈天宇
代理机构	北京天平专利商标代理有限公司	代理人	孙刚

摘要

一种改进的点矩阵二极管结构，其主要包括：一电路板，其上间隔设置数个LED晶粒，板上间隔设有注胶孔，及于另面设有成排的接脚；一聚光板，具有喇叭状穿孔，套设于各LED晶粒上方透光体的底部，而置于电路板与透明胶层间；一透明胶层，包覆在电路板外部，其正对每一LED晶粒之处设有透光体；以及一外壳体，为一单向开口凹形体，其底部设有相对于透光体的点阵穿孔；据此，使生产组装方便、用胶较少，电路板注胶后LED晶粒上即形成局部隆起的圆顶透光体，具有聚光效果，与外壳体对组可突穿伸出壳面，发光效果佳，且故障时又可局部去除再植，以提高生产优良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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