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外延晶片及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201380063457.0
  • IPC分类号:H01L21/20;H01L21/223
  • 申请日期:
    2013-12-03
  • 申请人:
    硅电子股份公司;英特尔公司
著录项信息
专利名称外延晶片及其制备方法
申请号CN201380063457.0申请日期2013-12-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-08-12公开/公告号CN104838474A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;2;3查看分类表>
申请人硅电子股份公司;英特尔公司申请人地址
德国慕尼黑 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人硅电子股份公司,英特尔公司当前权利人硅电子股份公司,英特尔公司
发明人P·施托克;N·维尔纳;M·福德尔韦斯特纳尔;P·托尔钦斯基;I·亚布隆克
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人李振东;过晓东
摘要
外延晶片,包括具有第一侧面和第二侧面的硅基板晶片,以及沉积在硅基板晶片的第一侧面上的硅外延层,以及任选存在的位于硅外延层顶上的一个或多个额外的外延层,所述硅外延层以1×1016个原子/cm3或更高且1×1020个原子/cm3或更低的浓度掺杂有氮,或者一个或多个额外的外延层中的至少一层以1×1016个原子/cm3或更高且1×1020个原子/cm3或更低的浓度掺杂有氮,或所述硅外延层以及所述一个或多个额外的外延层中的至少一层以1×1016个原子/cm3或更高且1×1020个原子/cm3或更低的浓度掺杂有氮。所述外延晶片是通过在包含一种或多种硅前驱化合物和一种或多种氮前驱化合物的沉积气体气氛存在的情况下,通过化学气相沉积,在940℃或更低的沉积温度下,沉积硅外延层或一个或多个额外的外延层中的至少一层、或硅外延层以及一个或多个额外的外延层中的至少一层来制备的。

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