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基于牺牲层的电极材料转移方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710272617.2
  • IPC分类号:H01L21/683
  • 申请日期:
    2017-04-24
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称基于牺牲层的电极材料转移方法
申请号CN201710272617.2申请日期2017-04-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-08-18公开/公告号CN107068607A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/683IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;8;3查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人马晓华;孙静;王宏;宋芳;吴士伟;王湛
代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华;朱红星
摘要
本发明公开了一种基于牺牲层的电极材料转移方法,主要解决电极材料转移中容易出现裂纹,成功率低的问题,其实现方案是:1)在清洗后的亲水性源衬底上采用电子束蒸发的方法制备具有疏水性质的牺牲层,再旋涂聚酰亚胺液体并进行热固化;2)用细胶带贴住样片的四周边缘区域在处理后的样片上制备电极,再进行光刻胶的旋涂,并完成烘胶;3)将烘胶后的样片泡在水中,再施以稍许应力,使牺牲层与源衬底迅速实现亲水性分离,随后采用腐蚀剂腐蚀牺牲层;4)用丙酮除去释放后薄膜上的光刻胶,再将薄膜粘附到目的衬底上,转移结束。本发明具有操作简单,成功率高,衬片可重复利用的优点,可用于对延展性较差的电极材料的转移工作。

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