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可降低导通电阻提高运行可靠性的GaNHEMT器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201820677932.3
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778
  • 申请日期:
    2018-05-08
  • 申请人:
    大连芯冠科技有限公司
著录项信息
专利名称可降低导通电阻提高运行可靠性的GaNHEMT器件
申请号CN201820677932.3申请日期2018-05-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人大连芯冠科技有限公司申请人地址
辽宁省大连市沙河口区高新技术产业园区七贤岭信达街57号工业设计产业园7号楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人大连芯冠科技有限公司当前权利人大连芯冠科技有限公司
发明人任永硕;王荣华
代理机构大连非凡专利事务所代理人闪红霞
摘要
本实用新型公开一种可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件,与现有技术不同的是InxAlyGa1‑x‑yN势垒层由矩阵排列的多个环组成,环的外侧是覆盖于沟道层上的源电极,环的内侧是覆盖于沟道层上的漏电极,在InxAlyGa1‑x‑yN势垒层、源电极及漏电极上有第一介质钝化层,所述栅电极是位于第一介质钝化层上且置于源电极及漏电极之间的环形,栅电极的下部穿过第一介质钝化层至InxAlyGa1‑x‑yN势垒层表面,在所述第一介质钝化层及栅电极的上表面覆有第二介质钝化层,在所述漏电极上有穿过第一介质钝化层及第二介质钝化层的通孔,在通孔内及第二介质钝化层上有扩展电极。

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