改善60纳米以下高压器件阈值电压变化曲线的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010235682.6
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
申请日期：
2010-07-23
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	改善60纳米以下高压器件阈值电压变化曲线的方法
申请号	CN201010235682.6	申请日期	2010-07-23
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-12-15	公开/公告号	CN101916721A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市张江高科技园区郭守敬路818号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海宏力半导体制造有限公司
发明人	黎坡
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明揭示了改善60纳米以下高压器件阈值电压沿着沟道长度变化曲线的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅电极，其中，栅电极具有多个间隙，将栅电极分隔为多个部分，栅电极的这些部分将栅介质层分成第一部分栅介质层和第二部分栅介质层，其中第一部分栅介质层为栅介质层被栅电极覆盖的部分，第二部分栅介质层为栅介质层未被栅电极覆盖的部分，其中在高压器件的沟道宽度方向上，每个间隙的宽度均衡。本发明的方法通过对栅电极构图的修改调整了随着高压器件长度改变，阈值电压的变化曲线，使得设计者即使在小尺寸的高压器件的设计中，也能够让该高压器件提供符合规格的阈值电压。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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