处理系统及其等离子体产生装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200610153707.1
IPC分类号：H05H1/24;H01L21/00
申请日期：
2006-09-14
申请人：
财团法人工业技术研究院

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著录项信息

专利名称	处理系统及其等离子体产生装置
申请号	CN200610153707.1	申请日期	2006-09-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-03-19	公开/公告号	CN101146397
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05H1/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05H 等离子体技术（离子束管入H01J 27/00；磁流体发电机入H02K 44/08；涉及生成等离子体的产生X射线的入H05G 2/00）；加速的带电粒子或中子的产生（从放射源获取中子的入G21，例如：G21B，G21C，G21G）；中性分子或原子射束的产生或加速（原子钟入G04F 5/14；受激发射器件入H01S；通过与由分子、原子或亚原子粒子的能级所确定的基准频率相比较而进行频率调整的入H03L 7/26） H05H1/00 等离子体的产生；等离子体的处理（等离子体技术在热核聚变反应器的应用入G21B 1/00） H05H1/24 等离子体的产生〔2〕	IPC分类号	H;0;5;H;1;/;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	财团法人工业技术研究院	申请人地址	中国台湾新竹县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	财团法人工业技术研究院	当前权利人	财团法人工业技术研究院
发明人	刘志宏;谢文宗;蔡陈德;苏濬贤;陈志玮;林春宏
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

一种处理系统，利用第一流体对于物件进行处理。处理系统包括基座与等离子体产生装置。基座用以承载物件。等离子体产生装置用以对于第一流体进行离子化。等离子体产生装置包括至少一导引组件与至少一电极组件。导引组件包括路径，第一流体沿着路径依序通过第一位置与第二位置。电极组件包括第一电极与第二电极，在第一电极相对于第一位置、第二电极相对于第二位置之下，第一电极、第二电极对于第一位置与第二位置之间的第一流体进行激能后形成了第二流体，第二流体对于基座上的物件进行表面处理、活化、清洁、光致抗蚀剂灰化或蚀刻处理。

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