氧化铟锡单分散纳米粉体的低温溶剂热制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910041342.7
IPC分类号：B82B3/00;C01G19/00;B82B1/00;G02F1/1333;G02F1/1343;H01L31/18;H01L31/0224;F24J2/00;C09K3/18
申请日期：
2009-07-23
申请人：
暨南大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	氧化铟锡单分散纳米粉体的低温溶剂热制备方法
申请号	CN200910041342.7	申请日期	2009-07-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-01-13	公开/公告号	CN101624173
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B82B3/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B82 纳米技术〔7〕 B82B 通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理〔7〕 B82B3/00 通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子集合的纳米结构的制造或处理〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;2;B;3;/;0;0;;;C;0;1;G;1;9;/;0;0;;;B;8;2;B;1;/;0;0;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3;3;;;G;0;2;F;1;/;1;3;4;3;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;F;2;4;J;2;/;0;0;;;C;0;9;K;3;/;1;8查看分类表>
申请人	暨南大学	申请人地址	广东省广州市黄埔大道西601号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	暨南大学	当前权利人	暨南大学
发明人	孟建新;邓小玲
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	裘晖;陈燕娴

摘要

本发明公开了一种氧化铟锡单分散纳米粉体的低温溶剂热制备方法。该方法包括以下步骤：将铟锡氢氧化物的乙二醇悬浮液放入反应釜中进行低温溶剂热反应，反应完成后将所得沉淀离心分离，洗涤，干燥，得到氧化铟或氧化铟锡单分散纳米粉体；所述低温溶剂热反应是在180～300℃温度条件下反应0.5～20h。本发明利用简单的低温溶剂热合成法，一步反应即可，工序简单、易于操作；反应所需的温度低，不需煅烧，设备简单、成本低、操作安全、污染小；制备的氧化铟、ITO粉体平均粒径可小于100nm，粒径分布范围窄，分散性很好。

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