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一种氧化镁-碳化硅-碳多孔陶瓷过滤器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110025242.6
  • IPC分类号:C04B38/06;C04B35/66;C04B35/565;C04B41/85;B22D1/00;B22C9/08
  • 申请日期:
    2021-01-08
  • 申请人:
    武汉科技大学
著录项信息
专利名称一种氧化镁-碳化硅-碳多孔陶瓷过滤器及其制备方法
申请号CN202110025242.6申请日期2021-01-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-05-04公开/公告号CN112745135A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B38/06IPC分类号C;0;4;B;3;8;/;0;6;;;C;0;4;B;3;5;/;6;6;;;C;0;4;B;3;5;/;5;6;5;;;C;0;4;B;4;1;/;8;5;;;B;2;2;D;1;/;0;0;;;B;2;2;C;9;/;0;8查看分类表>
申请人武汉科技大学申请人地址
湖北省武汉市青山区和平大道947号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉科技大学当前权利人武汉科技大学
发明人鄢文;彭望定;支瑾娜;陈哲;李光强;郑万
代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人张火春
摘要
本发明涉及一种氧化镁‑碳化硅‑碳多孔陶瓷过滤器及其制备方法。其技术方案是以改性多孔镁质细粉、改性焦炭沥青粉、单质硅粉和羧甲基纤维素钠为原料,加入减水剂、消泡剂、铝溶胶和去离子水,搅拌,得到具有触变性的陶瓷浆体。将碳化硅预形体浸入具有触变性的陶瓷浆体中,取出后离心处理,养护,干燥,在埋碳气氛和1400~1600℃条件下保温2~6h,冷却,制得氧化镁‑碳化硅‑碳多孔陶瓷过滤器。本发明具有过滤效果优异、强度高和热震稳定性好的特点;既适用于钢液净化领域,又适用于镁熔体和镁合金熔体净化领域。

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