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一种基于调控半导体材料吸收层厚度的光谱探测器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110806405.4
  • IPC分类号:H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18
  • 申请日期:
    2021-07-16
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称一种基于调控半导体材料吸收层厚度的光谱探测器件
申请号CN202110806405.4申请日期2021-07-16
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-16公开/公告号CN113659021A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0352IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;9;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人徐杨;陈丽;李泠霏;刘威;田丰;吴少雄;吕建杭;李涵茜;俞滨
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人刘静
摘要
本发明公开了一种基于调控半导体材料吸收层厚度的光谱探测器件。该器件包括绝缘层、半导体材料吸收层、正电极、负电极及二维材料薄膜,半导体材料吸收层呈阶梯阵列结构。有光线入射时,由于二维材料的高透光率,光线进入半导体材料并被吸收,不同波长入射光在半导体材料吸收层中的吸收深度不同,因此,对于特定厚度的半导体材料吸收层,对于不同波长的入射光其吸收量不同,对应可贡献光电流不同。各阶梯单元对应的两端电极之间均施加相同恒定电压,分别读取各阶梯单元黑暗和光照条件下产生的电流信号,取二者之差作为最终光电流信号,与预先标定构建的器件不同阶梯单元下响应度‑波长谱建立线性方程组求解最优解,即可获取入射光谱信息。

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