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GSPL-SNST氮化硅流延素坯及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202210563003.0
  • IPC分类号:B28B1/29;B28B3/00;C04B35/596
  • 申请日期:
    2022-05-23
  • 申请人:
    江苏方大正塬生态环境科技有限公司
著录项信息
专利名称GSPL-SNST氮化硅流延素坯及制备方法
申请号CN202210563003.0申请日期2022-05-23
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2022-07-29公开/公告号CN114800775A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B28B1/29IPC分类号B;2;8;B;1;/;2;9;;;B;2;8;B;3;/;0;0;;;C;0;4;B;3;5;/;5;9;6查看分类表>
申请人江苏方大正塬生态环境科技有限公司申请人地址
江苏省南京市建邺区亚鹏路88号银滩文创园2幢401-2室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏方达正塬电子材料科技有限公司当前权利人江苏方达正塬电子材料科技有限公司
发明人陈明;郭天枫;陈玉衡
代理机构南京科知维创知识产权代理有限责任公司代理人杜依民
摘要
本发明提供GSPL‑SNST氮化硅流延素坯的制备方法,包括以下步骤利用SDPR预处理系统和/或HVCM预处理系统和/或GSPL生产线制备的GSPL‑SNCS浆料,经真空消泡、流延、烘干形成厚度为T0的第一素坯。将N层除去膜带后的第一素坯进行裁切和整齐层叠并用PET真空包装袋密封后置于等静压机中在1‑40MPa压力下静压5‑40分钟,形成由多层第一素坯融合而成的第二素坯。本发明的方法生产的第一素胚的各方面性能优于之前的素胚,用等静压机让多层素胚融合,这样就保证了,切片的时候每一块的素胚性能几乎完全一致,粗糙度比较小,且无明显分层和气孔现象。我们可以根据需要去定制所需要的厚度,不会产生浪费。

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