多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910058478.9
IPC分类号：C01B31/04;C01B33/03;C30B28/14
申请日期：
2009-03-03
申请人：
四川永祥多晶硅有限公司

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著录项信息

专利名称	多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法
申请号	CN200910058478.9	申请日期	2009-03-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-07-22	公开/公告号	CN101486458
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/04 （转入C01B 32/182-C01B 32/23）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;0;4;;;C;0;1;B;3;3;/;0;3;;;C;3;0;B;2;8;/;1;4查看分类表>
申请人	四川永祥多晶硅有限公司	申请人地址	四川省乐山市五通桥竹根镇新华村变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川永祥多晶硅有限公司	当前权利人	四川永祥多晶硅有限公司
发明人	杨永富
代理机构	成都天嘉专利事务所（普通合伙）	代理人	方强

摘要

本发明公开了多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法，其特征在于：对石墨电极分别进行三次水淬，即先对石墨电极进行三次加热然后分别进行三次水浸冷却，水浸冷却时通过纯水进入被加热的石墨电极内部，石墨电极将纯水汽化为蒸汽，蒸汽将石墨中的杂质夹带出去；本发明洁净处理还原炉石墨电极去除杂质充分，生产多晶硅产品质量稳定；耗能低、耗水量少；工艺简单、易于操作；不污染大气和水源，属环境友好型工艺；本发明不仅用于多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理，同时还适用于还原炉进气石墨喷嘴，半导体外延炉石墨托以及其它工艺石墨件的洁净处理。

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