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一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010465882.4
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06
  • 申请日期:
    2020-05-28
  • 申请人:
    西安电子科技大学芜湖研究院
著录项信息
专利名称一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法
申请号CN202010465882.4申请日期2020-05-28
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-08-21公开/公告号CN111564490A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人西安电子科技大学芜湖研究院申请人地址
安徽省芜湖市弋江区文津西路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学芜湖研究院当前权利人西安电子科技大学芜湖研究院
发明人吴勇;陆俊;王东;陈兴;汪琼;葛林男;严伟伟;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成
代理机构芜湖思诚知识产权代理有限公司代理人房文亮
摘要
一种P‑GaN增强型HEMT器件及其制备方法,属于半导体技术领域,包括从下至上依次层叠设置的衬底(101)、ALN成核层(102)、ALGaN缓冲层(103)、GaN沟道层(104)、ALN插入层(105)、ALGaN势垒层(106)、LTPGaN(107)、PGaN(108)、钝化层(109)、源极(110)、漏极(111)、栅极(112)。在PGaN层和势垒层之间生长一层低温饱和P型GaN(LTPGaN层),该层的生长阻止了PGaN层的mg扩散至沟道层,从而降低器件的导通电阻,提升HEMT器件的工作效率。

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