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用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910913385.3
  • IPC分类号:C01B33/035
  • 申请日期:
    2019-09-25
  • 申请人:
    洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
著录项信息
专利名称用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉
申请号CN201910913385.3申请日期2019-09-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-11-29公开/公告号CN110510615A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B33/035IPC分类号C;0;1;B;3;3;/;0;3;5查看分类表>
申请人洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司申请人地址
河南省洛阳市洛龙科技工业园牡丹大道西1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人洛阳中硅高科技有限公司,中国恩菲工程技术有限公司当前权利人洛阳中硅高科技有限公司,中国恩菲工程技术有限公司
发明人杜俊平;张鹏远;张超
代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)代理人宋合成
摘要
本发明公开了一种用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉,所述还原炉具有进气口、出气口以及底盘,所述出气口形成在所述还原炉的底盘中心,所述导流装置包括:导流罩,导流罩的顶部封闭以阻止气流垂直进入底盘而造成还原炉内气体湍流;支撑件,支撑件沿竖向延伸,所述支撑件的上端与所述导流罩相连且下端与所述底盘相连;支撑件上形成有连通所述出气口的过气部。根据本发明的用于多晶硅还原炉的导流装置,在不更换或改造还原炉的底盘的情况下,通过导流罩和过气部对原有还原炉内气体进行导流,可以大幅度优化还原炉内的流场,消除还原炉内因为进气口、出气口均垂直于还原炉的底盘而造成的进料气和尾气气体的相互对流、湍流情况。

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