沟槽电容器的低阻硅化物填充物

发明专利无效专利

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	沟槽电容器的低阻硅化物填充物
申请号	CN99106683.9	申请日期	1999-05-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2000-06-21	公开/公告号	CN1257309
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	国际商业机器公司;西门子公司	申请人地址	美国纽约变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国际商业机器公司,西门子公司	当前权利人	国际商业机器公司,西门子公司
发明人	杰弗里·P·甘姆比诺;阿尔莱克·格轮宁;杰克·A·曼得尔门;卡尔·J·莱得恩斯
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

用难熔金属硅化物作为沟槽底部区中的沟槽电极元件的方法制造沟槽电容器。含有硅化物的沟槽电极呈现比相似尺寸的常规沟槽电极更小的串联电阻，从而能够降低基本尺寸存储器单元布局和/或降低单元存取时间。本发明的沟槽电容器特别适用于作为DRAM存储器单元的元件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供