多基岛埋入型单圈单芯片倒装封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201220204359.7
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/495
申请日期：
2012-05-09
申请人：
江苏长电科技股份有限公司

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专利名称	多基岛埋入型单圈单芯片倒装封装结构
申请号	CN201220204359.7	申请日期	2012-05-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;5查看分类表>
申请人	江苏长电科技股份有限公司	申请人地址	江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏长电科技股份有限公司	当前权利人	江苏长电科技股份有限公司
发明人	王新潮;李维平;梁志忠
代理机构	江阴市同盛专利事务所	代理人	唐纫兰

摘要

本实用新型涉及一种多基岛埋入型单圈单芯片倒装封装结构，它包括基岛（1）、引脚（2）和芯片（3），所述基岛有多个，所述芯片倒装于多个基岛正面和引脚正面，所述芯片底部与基岛正面和引脚正面之间设置有底部填充胶（14）,所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的区域、引脚与引脚之间的区域、基岛和引脚上部的区域、基岛和引脚下部的区域以及芯片的外围均包封有塑封料（4），所述引脚背面的塑封料上开设有小孔（5），所述小孔与引脚背面相连通，所述小孔内设置有金属球（7），所述金属球与引脚背面相接触。本实用新型的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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