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一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810713687.1
  • IPC分类号:H01L31/0747;H01L31/0216
  • 申请日期:
    2018-07-03
  • 申请人:
    黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
著录项信息
专利名称一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池
申请号CN201810713687.1申请日期2018-07-03
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-10-16公开/公告号CN108666387A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0747
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;7;4;7;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6查看分类表>
申请人黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司申请人地址
青海省西宁市城东区昆仑东路20号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人黄河水电光伏产业技术有限公司,青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司,国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司,青海黄河上游水电开发有限责任公司当前权利人黄河水电光伏产业技术有限公司,青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司,国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司,青海黄河上游水电开发有限责任公司
发明人杨振英;卢刚;王海;何凤琴;郑璐;钱俊;王旭辉
代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司代理人孙伟峰
摘要
本发明公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池,包括一N型单晶硅基体,N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面;依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层;依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N+层和本征非晶硅背钝化层;间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层;设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层;设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。本发明的背接触异质结N型单晶硅太阳电池,以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。

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