从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN98124902.7
IPC分类号：--
申请日期：
1998-11-13
申请人：
日本电气株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
申请号	CN98124902.7	申请日期	1998-11-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	1999-06-02	公开/公告号	CN1218279
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	日本电气株式会社	申请人地址	日本国东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本电气株式会社	当前权利人	日本电气株式会社
发明人	庄司秀行;祐川光成
代理机构	中科专利代理有限责任公司	代理人	刘晓峰

摘要

一种用于从盖住硅基片的下部氧化硅膜蚀刻氮化硅膜的方法,包括提供具有频率为13.56MHz到60MHz的第一RF功率源及为0.8MHz到13.56MHz的第二RF功率源的步骤,基片顶面及与基片顶面相对的顶部电极底面的功率密度分别为从0.20W/cm2到0.35W/cm2及大于1.13W/cm2。在氯气环境下蚀刻,以形成由氧化硅构成的元件隔离区及由氮化硅膜构成的侧壁膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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