紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试系统及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910725457.1
IPC分类号：G01R31/26;H01L21/66
申请日期：
2019-08-07
申请人：
苏州伊欧陆系统集成有限公司

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专利名称	紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试系统及方法
申请号	CN201910725457.1	申请日期	2019-08-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-10-22	公开/公告号	CN110361643A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	苏州伊欧陆系统集成有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A7楼305室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州伊欧陆系统集成有限公司	当前权利人	苏州伊欧陆系统集成有限公司
发明人	张海洋;刘渊;宋代鳌;吕文波
代理机构	常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙）	代理人	滕诣迪

摘要

本发明涉及晶圆在片测试技术领域，尤其是一种紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试系统，包括晶圆测试探针台、测试测量仪表、光源发生以及调节系统、系统自动控制及数据处理软件，晶圆测试探针台用于对待测件进行固定及测试操作，测试测量仪表与待测件连接，用于对待测件进行数据检测和收集，光源发生以及调节系统用于发出测试光源至晶圆待测件，用于对待测件进行测试光源的输出控制，系统自动控制及数据处理软件分别与晶圆测试探针台和光源发生以及调节系统通信连接，本发明极大地提高了紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试效率、封装良率，提高了生产效率，降低了生产成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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