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半导体器件及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910508001.X
  • IPC分类号:H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/336
  • 申请日期:
    2019-06-12
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其形成方法
申请号CN201910508001.X申请日期2019-06-12
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2020-12-15公开/公告号CN112086401A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/8234
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人王楠
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明提供一种半导体器件及其形成方法,包括提供衬底,所述衬底包括切割区和非切割区;在所述衬底上形成硬掩膜层;以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的所述衬底,形成分立排列的鳍部;去除所述非切割区的所述鳍部顶部的所述硬掩膜层;在所述衬底上形成伪栅结构,所述伪栅结构横跨所述鳍部,且所述伪栅结构的顶部表面与所述硬掩膜层的顶部表面齐平;本发明简化了获得矩形线端的工艺,同时使得形成的半导体器件的性能得到提高。

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