用于访问动态随机存取存储器阵列的技术

发明专利有效专利

申请号：
CN201480063015.0
IPC分类号：G11C11/4063;G11C11/409
申请日期：
2014-11-06
申请人：
英特尔公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于访问动态随机存取存储器阵列的技术
申请号	CN201480063015.0	申请日期	2014-11-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-22	公开/公告号	CN105706171A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/4063 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕 G11C11/4063 辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;6;3;;;G;1;1;C;1;1;/;4;0;9查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	A.谢菲尔;J-C.叶;P-W.罗
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴晟;付曼

摘要

公开用于访问动态随机存取存储器（DRAM）阵列的示例。在一些示例中，DRAM库的子阵列可能够响应于相同的列地址选通脉冲来打开多个页面。在其他示例中，DRAM库的子阵列可被设置使得输入/输出（IO）位可采用序列化方式通过IO线路由。对于这些其他示例，IO线可经过DRAM管芯（其包括DRAM库）并且/或可在DRAM芯片外部耦合于存储器通道或总线。描述其他示例并且要求保护它们。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供