真空处理设备和制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201180063772.4
IPC分类号：H01L21/677;H01L21/687;H01L21/67
申请日期：
2011-12-27
申请人：
OC欧瑞康巴尔斯公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	真空处理设备和制造方法
申请号	CN201180063772.4	申请日期	2011-12-27
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-09-11	公开/公告号	CN103299413A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/677 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/677 用于传送的，例如在不同的工作站之间〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	OC欧瑞康巴尔斯公司	申请人地址	瑞士特吕巴赫变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞士艾发科技	当前权利人	瑞士艾发科技
发明人	B.肖特范马斯特;W.里伊茨勒;R.洛德;R.巴滋伦;D.罗雷尔
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	原绍辉

摘要

本发明涉及一种真空处理设备和用于制造的方法。真空处理设备包括：‑多个处理腔室(18,19)，用于处理工件，特别地硅晶片；‑转移腔室(15)，附连到处理腔室(18,19)上，处理腔室(18,19)经由相应开口与所述转移腔室(15)相连通、并且包括与处理腔室(18,19)中每一个相邻定位的搬运区；‑工件载体，布置于转移腔室(15)内，被配置成在搬运区之间转移工件；以及，‑一个或多个搬运器，用于在搬运区与处理腔室(18,19)之间移动工件。由此所述转移腔室(15)为绕轴线的环形，并且所述开口具有基本上平行于所述轴线的开口轴线。以此方式，在转移腔室上的力被重导向至较大支承结构并且因而，可实现具有成本效益、较轻并且仍然刚性的构造。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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