首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

CMOS图像传感器及其形成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710142738.5
IPC分类号：H01L27/146
申请日期：
2017-03-10
申请人：
豪威科技（上海）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	CMOS图像传感器及其形成方法
申请号	CN201710142738.5	申请日期	2017-03-10
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-07-07	公开/公告号	CN106935605A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/146 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕 H01L27/144 由辐射控制的器件〔5〕 H01L27/146 图像结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人	豪威科技（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园上科路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	豪威科技（上海）有限公司	当前权利人	豪威科技（上海）有限公司
发明人	叶通迪;王从建;翁鸿铭;余兴
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	智云

摘要

本发明提供了一种CMOS图像传感器及其形成方法，其中，第一高K介质层包括多层第一高K介质子层，相邻两层第一高K介质子层之间界面不连续，由此能够提高耦合效应及抑制晶粒成长，很好的将半导体衬底中的游离负电荷固定于第一氧化层和第一高K介质层之间的界面，将半导体衬底中的游离正电荷固定于半导体衬底和第一氧化层之间的界面，从而很好的降低漏电流，进一步改善/避免亮点问题。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供