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氮化物半导体发光器件及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200580041795.X
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2005-12-05
  • 申请人:
    LG伊诺特有限公司
著录项信息
专利名称氮化物半导体发光器件及其制备方法
申请号CN200580041795.X申请日期2005-12-05
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2007-11-14公开/公告号CN101073159
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人LG伊诺特有限公司申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人LG伊诺特有限公司当前权利人LG伊诺特有限公司
发明人李昔宪
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人蔡胜有;刘继富
摘要
本发明涉及氮化物半导体发光器件,包括:具有AlGaN/n-GaN或AlGaN/GaN/n-GaN的超晶格结构的第一氮化物半导体层;在第一氮化物半导体层上形成的用以发光的有源层;在有源层上形成的第二氮化物半导体层;和在第二氮化物半导体层上形成的第三氮化物半导体层。根据本发明,有源层的结晶度得到提高,并且光功率和可靠性也得到提高。

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