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一种MOCVD中突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410270321.3
  • IPC分类号:C23C16/455;C23C16/34;H01L21/02
  • 申请日期:
    2014-06-17
  • 申请人:
    北京大学
著录项信息
专利名称一种MOCVD中突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法
申请号CN201410270321.3申请日期2014-06-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-01-27公开/公告号CN105274496A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/455IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人北京大学申请人地址
北京市海淀区颐和园路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京大学当前权利人北京大学
发明人罗睿宏;吴洁君;刘南柳;康香宁;张国义
代理机构北京万象新悦知识产权代理有限公司代理人朱红涛
摘要
本发明提供一种MOCVD中突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法,其特征是,MOCVD反应腔中突变导致非稳定气流环境下在线生长SiNx掩膜层。在线的SiNx掩膜层是在MOCVD材料生长中一种重要功能层,能大幅提高晶体质量的同时还能实现良好的应力释放效果,尤其在GaN‑On‑Silicon外延中。本发明提供了突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法,打破了MOCVD生长中气流稳定性的要求,利用突变式冲击气流,使得SiNx掩膜层更为零散随机,从而实现更好的位错阻隔功能层的效果,也能很好地释放异质生长中带来的应力。

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