具有屏蔽栅沟槽结构的超级结半导体功率器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202211150636.5
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/739
申请日期：
2022-09-21
申请人：
深圳安森德半导体有限公司

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专利名称	具有屏蔽栅沟槽结构的超级结半导体功率器件
申请号	CN202211150636.5	申请日期	2022-09-21
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-12-02	公开/公告号	CN115425083A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人	深圳安森德半导体有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙大道4093号南山云谷创新产业园山水楼A座309室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳安森德半导体有限公司	当前权利人	深圳安森德半导体有限公司
发明人	陈兵;田园农;顾志国;王义辉
代理机构	上海申汇专利代理有限公司	代理人	翁若莹

摘要

本发明公开了一种新型的屏蔽栅沟槽(SGT)式超级结(SJ)MOSFETs，所述的SGT SJ MOSFET具有位于氧化层电荷平衡(OCB)区的第一类型多阶梯外延(MSE)结构，以及位于SJ区的第二类型MSE结构，以降低器件的比导通电阻(Rsp)和栅‑漏电荷(Qgd)。因以上两种类型的MSE结构可以提高SGT SJ MOSFETs漂移区的平均掺杂浓度，从而在不降低击穿电压的情况下降低器件的Rsp、提高器件的雪崩能力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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