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用于制造衬底以及半导体结构的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201280066067.4
  • IPC分类号:H01L21/762;H01L21/18
  • 申请日期:
    2012-12-21
  • 申请人:
    SOITEC公司
著录项信息
专利名称用于制造衬底以及半导体结构的方法
申请号CN201280066067.4申请日期2012-12-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-09-03公开/公告号CN104025281A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;1;8查看分类表>
申请人SOITEC公司申请人地址
法国贝尔尼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人SOITEC公司当前权利人SOITEC公司
发明人O·科农丘克
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
本发明涉及制造衬底的方法,包括下述步骤:提供具有至少一个自由表面(7)的供体衬底(1)、执行在供体衬底(1)的预定深度(d)的离子注入以在供体衬底(1)中形成深入预定分开区域(2),并且其特征在于提供粘合剂层(4)(特别是粘合膏),覆盖该供体衬底(1)的至少一个自由表面(7)。本发明进一步涉及半导体结构(91、91’、92、93、93’),包括半导体层(1,1’)以及被设置于该半导体层(1,1’)的一个主侧(7)上的陶瓷基和/或石墨基和/或金属基的粘合剂层(4)。

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