高密度等离子体化学气相淀积方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610116845.2
IPC分类号：C23C16/513;C23C16/448;C23C16/52;H01L21/205;H01L21/365
申请日期：
2006-09-30
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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专利名称	高密度等离子体化学气相淀积方法
申请号	CN200610116845.2	申请日期	2006-09-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-04-02	公开/公告号	CN101153386
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/513 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/50 借助放电的〔4〕 C23C16/513 采用等离子流〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;5;1;3;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;8;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;6;5查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	冯明;杨海涛;平延磊
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	逯长明

摘要

一种高密度等离子体化学气相淀积方法，通过向反应室中通入淀积气体进行淀积反应；所述淀积气体包括第一反应气体、第二反应气体、氦气及氢气，所述第二反应气体及氦气在淀积反应开始之前已通入所述反应室中；所述氢气在所述第一反应气体之后通入反应室。通过控制氢气的通入时间，即将氢气的通入时间控制在第一反应气体通入之后，继而控制反应进程，抑制了微粒缺陷的产生；此外，通过控制氢气的通入过程，即控制氢气使其缓慢通入，使得反应室可平稳地补充缓冲气体，使淀积反应过程可进行得更为均匀。

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