半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01823871.8
IPC分类号：--
申请日期：
2001-12-25
申请人：
株式会社日立制作所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN01823871.8	申请日期	2001-12-25
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-02-16	公开/公告号	CN1582486
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社日立制作所	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社日立制作所	当前权利人	株式会社日立制作所
发明人	田势隆;佐藤朗
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	胡建新

摘要

提供半导体器件(LSI芯片)及其制造方法，在通过划片将LSI芯片从晶片分离时，不发生破片(切断面断的欠缺)，即使有也被减低到实际使用容许的程度。本发明的半导体器件，其特征在于，至少在半导体芯片的元件形成面及其背面的端部实施倒角，该倒角倾斜角度为θ时，在端部具有90°＜θ＜180°的倾斜面。另外，优选倒角倾斜角度为100°≤θ≤135°，尤其优选半导体芯片的四边的倒角倾斜角度θ都约为135°。按照本发明，通过划片将LSI芯片从晶片分离时，由于能够抑制在LSI芯片外周端部发生的破片，所以如果在IC卡和IC标签的安装中使用此芯片，则因构造简单而能够削减材料费和制作时间，特别能够制作可靠性高的薄型IC卡和可靠性高的薄型IC标签。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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