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硅锗氢化物以及制造和使用其的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200680043728.6
  • IPC分类号:C01B6/06;H01L21/205;C07F7/02
  • 申请日期:
    2006-11-21
  • 申请人:
    亚利桑那董事会,代表亚利桑那州立大学行事的法人团体
著录项信息
专利名称硅锗氢化物以及制造和使用其的方法
申请号CN200680043728.6申请日期2006-11-21
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-02-11公开/公告号CN101365648
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B6/06IPC分类号C;0;1;B;6;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;C;0;7;F;7;/;0;2查看分类表>
申请人亚利桑那董事会,代表亚利桑那州立大学行事的法人团体申请人地址
美国亚利桑那 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人亚利桑那董事会,代表亚利桑那州立大学行事的法人团体当前权利人亚利桑那董事会,代表亚利桑那州立大学行事的法人团体
发明人J·库韦塔基斯;C·J·里特三世;C·胡;I·S·T·宗;A·奇日梅什亚
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人李帆
摘要
本发明提供了新型的硅锗氢化物化合物,它们的合成方法,它们的沉积方法和使用所述新型化合物制成的半导体结构。该化合物由下式限定:(SiHn1)x(GeHn2)y,其中x是2、3或4;其中y是1、2或3;其中x+y为3、4或5;其中对于该化合物中的每个原子,n1独立地为0、1、2或3,以便满足化合价;并且其中对于该化合物中的每个Ge原子,n2独立地为0、1、2或3,以便满足化合价;条件是当y为1时n2不为0;另外的条件是当x为3且y为1时,n2为2或3;且另外的条件是当x为2且y为1时,n2为3。

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