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大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201220368026.8
  • IPC分类号:H01L23/055;H01L23/48
  • 申请日期:
    2012-07-28
  • 申请人:
    江阴市赛英电子有限公司
著录项信息
专利名称大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳
申请号CN201220368026.8申请日期2012-07-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/055IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;0;5;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人江阴市赛英电子有限公司申请人地址
江苏省江阴市南闸街道开运路60号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江阴市赛英电子股份有限公司当前权利人江阴市赛英电子股份有限公司
发明人陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐
代理机构江阴市同盛专利事务所代理人唐纫兰;曾丹
摘要
本实用新型涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳,其特征在于它包括陶瓷底座(1)、过渡电极(2)和上盖(3),所述上盖(3)盖置于陶瓷底座(1)上,所述过渡电极(2)置于阳极电极(1-4)上,在所述过渡电极(2)上设置有门极针定位孔(2-1)、门极环定位槽(2-2)和芯片定位孔(2-3)。本实用新型不需要雕刻矩形电极群,只需在过渡电极上加工简单的定位孔和定位槽,大幅提高了加工效率和成品率,并且过渡电极不需与瓷环相焊接,因此没有焊接应力,与矩形电极群相比,接触面积增加了20%左右,从而提高了电极的导电、导热性能。

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