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氮掺杂石墨烯/氧化锡纳米复合材料及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110332683.7
IPC分类号：H01M4/62;H01M4/38;H01M4/48
申请日期：
2011-10-28
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	氮掺杂石墨烯/氧化锡纳米复合材料及其制备方法
申请号	CN201110332683.7	申请日期	2011-10-28
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-01-18	公开/公告号	CN102324522A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/62 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/62 在活性物质中非活性材料成分的选择，例如胶合剂、填料〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;4;8查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	上海市长宁区定西路1295号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人	孙静;徐朝和;高濂
代理机构	上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙）	代理人	曹芳玲;郑优丽

摘要

本发明涉及氮掺杂石墨烯/氧化锡纳米复合材料及其制备方法，所述氮掺杂石墨烯/氧化锡纳米复合材料，包括石墨烯和负载在石墨烯表面的氧化锡纳米晶，其中，在所述复合材料中，氮的掺杂量为0～8%。由于氮的掺杂效应以及氧化锡纳米颗粒对石墨烯的分散作用，复合材料具有比表面积大、导电性好的特定，显示出优异的电化学储锂性能。

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