阱电势触发ESD保护

发明专利无效专利

申请号：
CN200710307618.2
IPC分类号：H01L27/02;H01L27/04;H01L23/60
申请日期：
2007-12-11
申请人：
沙诺夫公司;沙诺夫欧洲公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	阱电势触发ESD保护
申请号	CN200710307618.2	申请日期	2007-12-11
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-04-15	公开/公告号	CN101409280
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;3;/;6;0查看分类表>
申请人	沙诺夫公司;沙诺夫欧洲公司	申请人地址	美国新泽西变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	沙诺夫公司,沙诺夫欧洲公司	当前权利人	沙诺夫公司,沙诺夫欧洲公司
发明人	本杰明·范坎普
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	郭放

摘要

本发明提供一种阱电势触发ESD保护。在本发明的用于提供ESD保护的集成电路中包括具有至少一个交错叉指的晶体管器件，该交错叉指具有衬底区域、源区、漏区和在位于源区和漏区之间的沟道区上形成的栅区。晶体管器件进一步包括与源区相邻地形成的至少一个高掺杂结，以测量衬底区域的电压。该集成电路进一步包括连接到至少一个高掺杂结的开关电路，使得电压传输到开关电路，以吸取所有的ESD电流或者触发以吸取所有的ESD电流。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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