一种掩膜板及其应用方法、封装层的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010424943.2
IPC分类号：C23C14/04;H01L51/52;H01L51/56
申请日期：
2020-05-19
申请人：
武汉华星光电半导体显示技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种掩膜板及其应用方法、封装层的制备方法
申请号	CN202010424943.2	申请日期	2020-05-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-04	公开/公告号	CN111621742A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/04 局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;4;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉华星光电半导体显示技术有限公司	当前权利人	武汉华星光电半导体显示技术有限公司
发明人	王衣可;龚建国
代理机构	深圳紫藤知识产权代理有限公司	代理人	刁文魁

摘要

本发明涉及掩膜板及其应用方法、封装层的制备方法，第一区域的掩膜板的重力与外界应力之和小于第二区域的掩膜板的重力，第一区域的掩膜板的重力与外界应力之和大于第三区域的掩膜板的重力，第二区域的掩膜板承受的力最大，第一区域的掩膜板产生较小的形变量，近似无形变，增大第一区域的掩膜板与玻璃基板之间的贴合面积，减小掩膜板边缘处形变区域的宽度。第二区域、第三区域的掩膜板向上翘曲，第三区域的形变量大于第二区域的形变量，进而减小掩膜板边缘处形变区域与玻璃基板的距离，由此减小掩膜板边缘处与玻璃基板之间形成的缺口，减少镀膜时进入缺口的材料，减小镀膜时产生阴影的面积，提高镀膜的膜厚匀一性，提升封装层的可靠性。

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