半导体装置以及半导体装置的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201580003426.5
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L29/12;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78
申请日期：
2015-07-15
申请人：
富士电机株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体装置以及半导体装置的制造方法
申请号	CN201580003426.5	申请日期	2015-07-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-08-10	公开/公告号	CN105849877A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;4;9;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	富士电机株式会社	申请人地址	日本神奈川县川崎市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士电机株式会社	当前权利人	富士电机株式会社
发明人	木下明将;星保幸;原田祐一;酒井善行;岩谷将伸;吕民雅
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	王颖;金玉兰

摘要

半导体装置(100)在由碳化硅构成的n型的半导体基板(1)上具有n型的半导体层(2)、p型的基区(4)、n型的源区(6)、p型的接触区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)和源电极(13)。半导体装置(100)在半导体基板(1)的背面具有漏电极(12)。在栅电极(10)的表面上设有层间绝缘膜(11)。层间绝缘膜(11)具有多层，该多层中的至少一层是由氮化硅膜(11b)构成。通过这样设置能够抑制半导体装置的特性的劣化。另外，能够抑制制造时的工序数量的增加。

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