一种波长锁定半导体激光器系统

发明专利有效专利

申请号：
CN202110172183.5
IPC分类号：H01S5/065;H01S5/02253
申请日期：
2021-02-08
申请人：
苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

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专利名称	一种波长锁定半导体激光器系统
申请号	CN202110172183.5	申请日期	2021-02-08
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-18	公开/公告号	CN112993747A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/065 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/06 控制激光器输出参数的装置，例如控制激活介质〔7〕 H01S5/065 模式锁定；模式抑制；模式选择〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;6;5;;;H;0;1;S;5;/;0;2;2;5;3查看分类表>
申请人	苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司	申请人地址	江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州长光华芯光电技术股份有限公司,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司	当前权利人	苏州长光华芯光电技术股份有限公司,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
发明人	俞浩;王俊;李泉灵;廖新胜
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司	代理人	薛异荣

摘要

一种波长锁定半导体激光器系统，包括：M个半导体激光器芯片，第k个半导体激光器芯片适于从前腔面出射第k前激光束，第k个半导体激光器芯片适于从后腔面出射第k后激光束；第一光纤光栅，第一光纤光栅适于部分反射第k前激光束以形成第k前反馈光束，第k前反馈光束至少注入第k个半导体激光器芯片和第M‑k+1个半导体激光器芯片中；第二光纤光栅，第二光纤光栅适于部分反射第k后激光束以形成第k后反馈光束，第k后反馈光束至少注入第k个半导体激光器芯片和第M‑k+1个半导体激光器芯片中；第k前反馈光束的波长范围和第k后反馈光束的波长范围至少部分重叠。所述波长锁定半导体激光器系统的降低了波长锁定失效的几率且寿命到提高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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