一种晶片腐蚀和清洗治具

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202120343266.1
IPC分类号：C30B33/10;B08B13/00;H01L21/687
申请日期：
2021-02-07
申请人：
深圳市鑫亿晶科技有限公司

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专利名称	一种晶片腐蚀和清洗治具
申请号	CN202120343266.1	申请日期	2021-02-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B33/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理（C30B 31/00优先）〔3，5〕 C30B33/08 侵蚀〔5〕 C30B33/10 在溶液或熔体内〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;3;/;1;0;;;B;0;8;B;1;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;7查看分类表>
申请人	深圳市鑫亿晶科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区航城街道黄麻布社区簕竹角鸿业工业园7栋厂房3层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市鑫亿晶科技有限公司	当前权利人	深圳市鑫亿晶科技有限公司
发明人	王铭乾;钟兴才;周旦兴
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种晶片腐蚀和清洗治具，包括第一前载板、第二前载板、第一后载板以及第二后载板，第一前载板与第二前载板之间设置第一晶片载架，第一后载板与第二后载板之间设置第二晶片载架，第一前载板以及第二前载板通过调节组件与第一后载板以及第二后载板相连接，第一晶片载架以及第二晶片载架上设置多组晶片定位组件；调节组件包括第一调节杆以及第二调节杆，第一调节杆一端滑动连接在第一调节槽内，第二调节杆一端活动连接在第二调节槽内，第一调节杆设置在第一前载板一侧表面，第二调节杆设置在第二前载板一侧表面。本实用新型能够进行间距调节，满足不同规格晶片的使用，同时晶片承载定位性佳，避免了晶片偏移划伤损坏的情况发生。

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